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1N4103-BP、JANTXV1N4103、JAN1N4103C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4103-BP JANTXV1N4103 JAN1N4103C

描述 DO-35 9.1V 0.5W(1/2W)硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

稳压值 9.1 V 9.1 V 9.1 V

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant - -