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BAS21LT1G、BAS21T/R、BAS21LT3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS21LT1G BAS21T/R BAS21LT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BAS21LT1G  二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA0.2A, 250V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3ON SEMICONDUCTOR  BAS21LT3G  二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 小信号二极管小信号二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 200 mA 200 mA -

电容 5.00 pF 5.00 pF -

输出电流 ≤200 mA ≤200 mA ≤200 mA

极性 Standard Standard Standard

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

负载电流 0.2 A - -

针脚数 3 - 3

正向电压 1.25 V - 1.25V @200mA

耗散功率 385 mW - 385 mW

热阻 417℃/W (RθJA) - 417℃/W (RθJA)

反向恢复时间 50 ns - 50 ns

正向电流 200 mA - 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 625 mA - 625 mA

正向电压(Max) 1.25 V - 1.25 V

正向电流(Max) 200 mA - 200 mA

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW - 300 mW

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

长度 3.04 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.94 mm - 0.94 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 NLR - -