IRLR3103TRPBF、IRLR3103TRR、IRLR3103PBF对比区别

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型号 IRLR3103TRPBF IRLR3103TRR IRLR3103PBF

描述 INFINEON  IRLR3103TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1 V 新DPAK N-CH 30V 55AN 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 - 3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 107 W 107W (Tc) 107 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 55A 55A 55A

输入电容(Ciss) 1600pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 107 W 107 W 107 W

耗散功率(Max) 107W (Tc) 107W (Tc) 107W (Tc)

额定功率 69 W - 69 W

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.019 Ω - -

阈值电压 1 V - -

上升时间 210 ns - -

反向恢复时间 81 ns - -

正向电压(Max) 1.3 V - -

下降时间 54 ns - -

工作结温 -55℃ ~ 175℃ - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.39 mm - 2.39 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -