IRLR3103TRPBF
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Infineon
英飞凌
分立器件
IRLR3103TRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 69 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.019 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 107 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 55A
上升时间 210 ns
反向恢复时间 81 ns
正向电压Max 1.3 V
输入电容Ciss 1600pF @25VVds
额定功率Max 107 W
下降时间 54 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 175℃
耗散功率Max 107W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
IRLR3103TRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRLR3103TRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRLR3103TRPBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRLR3103TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1 V 新 | 搜索库存 |
替代型号IRLR3103TRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRLR3103TRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 55A | 当前型号 | INFINEON IRLR3103TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1 V 新 | 当前型号 |
| 型号： IRLR3103PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 55A | 完全替代 | N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRLR3103TRPBF和IRLR3103PBF的区别 |
| 型号： IRLR3103TRLPBF 品牌： 英飞凌 封装： DPAK N-Channel 30V 55A | 完全替代 | DPAK N-CH 30V 55A | IRLR3103TRPBF和IRLR3103TRLPBF的区别 |
| 型号： IRLR3103 品牌： 英飞凌 封装： DPAK N-CH 30V 55A | 类似代替 | DPAK N-CH 30V 55A | IRLR3103TRPBF和IRLR3103的区别 |