ULN2803A、ULN2804A、ULN2803AN对比区别

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型号 ULN2803A ULN2804A ULN2803AN

描述 STMICROELECTRONICS  ULN2803A  双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIPSTMICROELECTRONICS  ULN2804A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIPTEXAS INSTRUMENTS  ULN2803AN  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, DIP

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 18 18 18

封装 DIP-18 DIP-18 DIP-18

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 500 mA 500 mA 500 mA

针脚数 18 18 18

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

驱动器/包 - - 8

集电极最大允许电流 - - 0.5A

输入电压(Max) - - 5 V

输出电压(Max) - - 50 V

输出电流(Max) - - 500 mA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -20 ℃ -20 ℃ -65 ℃

输出电压 50 V 50 V -

输出电流 500 mA 500 mA -

通道数 8 8 -

耗散功率 2.25 W 2.25 W -

输入电容 15.0 pF 15.0 pF -

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @350mA, 2V 1000 @350mA, 2V -

额定功率(Max) 2.25 W 2.25 W -

直流电流增益(hFE) 1000 1000 -

耗散功率(Max) 2250 mW 2250 mW -

电源电压 5 V - -

输入电压 30 V - -

长度 23.24 mm 23.24 mm 22.48 mm

宽度 7.1 mm 7.1 mm 6.35 mm

高度 3.93 mm 3.93 mm 4.57 mm

封装 DIP-18 DIP-18 DIP-18

工作温度 -20℃ ~ 150℃ (TJ) -20℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -