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FQD3N40TF、FQD3N40TM、IRFR310B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD3N40TF FQD3N40TM IRFR310B

描述 N沟道 400V 2AN沟道 400V 2A400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

极性 N-CH N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V

连续漏极电流(Ids) 2.00 A 2.00 A 1.7A

额定电压(DC) 400 V 400 V -

额定电流 2.00 A 2.00 A -

漏源极电阻 - 3.40 Ω -

耗散功率 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) -

漏源击穿电压 - 400 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

输入电容(Ciss) 230pF @25V(Vds) 230pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tape Tape -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -