FQD3N40TF
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD3N40TF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 400 V
额定电流 2.00 A
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta, 30W Tc
漏源极电压Vds 400 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
输入电容Ciss 230pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQD3N40TF引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQD3N40TF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD3N40TF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-CH 400V 2A | 当前型号 | N沟道 400V 2A | 当前型号 |
| 型号： FQD3N40TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 400V 2A 3.4ohms | 类似代替 | N沟道 400V 2A | FQD3N40TF和FQD3N40TM的区别 |
| 型号： IRFR310BTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 400V 1.7A 3.4Ω | 功能相似 | N沟道 400V 1.7A | FQD3N40TF和IRFR310BTF的区别 |
| 型号： FQD3N40 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET | FQD3N40TF和FQD3N40的区别 |