STB20NK50ZT4、STB21NK50Z、PT5027C对比区别

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型号 STB20NK50ZT4 STB21NK50Z PT5027C

描述 N沟道500V -0.23 OHM - 17A TO- 220 / D2PAK / I2SPAK / TO- 247 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247STMICROELECTRONICS  STB21NK50Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3.75 VPower Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Advanced Power Technology

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

额定电压(DC) 500 V - -

额定电流 17.0 A - -

漏源极电阻 0.23 Ω 0.23 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 190 W 190 W -

阈值电压 3.75 V 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -

漏源击穿电压 500 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 17.0 A - -

上升时间 20 ns 20 ns -

输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 190 W 190 W -

下降时间 15 ns 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 190W (Tc) 190W (Tc) -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -