IXTH26N60P、IXTQ26N60P、APT28F60B对比区别

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型号 IXTH26N60P IXTQ26N60P APT28F60B

描述 N沟道 600V 26ATO-3P N-CH 600V 26AN沟道FREDFET N-Channel FREDFET

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 26.0 A 26.0 A 28.0 A

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 270 mΩ -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 460 W 460 W 520 W

阈值电压 - 5 V -

输入电容 4.15 nF 4.15 nF -

栅电荷 72.0 nC 72.0 nC -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 - 600 V -

连续漏极电流(Ids) 26.0 A 26.0 A 28.0 A

上升时间 27 ns 27 ns -

输入电容(Ciss) 4150pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds) 5575pF @25V(Vds)

下降时间 21 ns 21 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 460W (Tc) 460W (Tc) 520W (Tc)

额定功率(Max) - - 520 W

长度 - 15.8 mm -

宽度 - 4.9 mm -

高度 - 20.3 mm 21.46 mm

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -