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BC858C、BC859C、BC858CLT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858C BC859C BC858CLT1G

描述 Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23ON SEMICONDUCTOR  BC858CLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -30 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor Diotec Semiconductor ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23

耗散功率 250 mW 250 mW 300mW

增益频宽积 100 MHz 100 MHz -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW -

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -100 mA

极性 - - PNP, P-Channel

击穿电压(集电极-发射极) - - 30.0 V

集电极最大允许电流 - - 0.1A

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 EAR99