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BZT52H-C5V1,115、MMSZ4689T1G、BZD27C5V1P-E3-08对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52H-C5V1,115 MMSZ4689T1G BZD27C5V1P-E3-08

描述 NXP  BZT52H-C5V1,115  单管二极管 齐纳, 5.1 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °CON SEMICONDUCTOR  MMSZ4689T1G  单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C800mW,BZD27C 系列,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-123F SOD-123-2 DO-219AB-2

额定电压(DC) - 5.10 V -

容差 ±5 % ±5 % -

额定功率 - 500 mW -

击穿电压 - 5.36 V 5.10 V

针脚数 2 2 2

正向电压 900mV @10mA 900mV @10mA 1.2V @200mA

耗散功率 375 mW 500 mW 800 mW

测试电流 5 mA 0.05 mA 100 mA

正向电流 - 10 mA -

稳压值 5.1 V 5.1 V 5.1 V

正向电压(Max) 900mV @10mA 900mV @10mA -

额定功率(Max) 375 mW 500 mW 800 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) 830 mW 500 mW 800 mW

长度 2.7 mm 2.69 mm 2.9 mm

宽度 1.7 mm 1.6 mm 1.9 mm

高度 1.2 mm 1.12 mm 1.08 mm

封装 SOD-123F SOD-123-2 DO-219AB-2

材质 - Plastic -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

温度系数 -0.75 mV/K - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -