IPI80P03P4L-07、IPP80P03P4L-07对比区别

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型号 IPI80P03P4L-07 IPP80P03P4L-07

描述 Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能的OptiMOS -P2功率三极管 OptiMOS-P2 Power-Transistor

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-220-3

引脚数 3 -

极性 P-CH P-CH

阈值电压 - 2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80A

输入电容(Ciss) 5700pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 88 W -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 88 W -

封装 TO-262-3 TO-220-3

长度 10 mm -

宽度 4.4 mm -

高度 9.25 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free