IPP80P03P4L-07
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
IPP80P03P4L-07中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 80A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPP80P03P4L-07引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPP80P03P4L-07
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPP80P03P4L-07 | Infineon 英飞凌 | 的OptiMOS -P2功率三极管 OptiMOS-P2 Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPP80P03P4L-07
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPP80P03P4L-07 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220 P-CH 30V 80A | 当前型号 | 的OptiMOS -P2功率三极管 OptiMOS-P2 Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： IPI80P03P4L-07 品牌： 英飞凌 封装： TO-262-3 P-CH 30V 80A | 类似代替 | Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | IPP80P03P4L-07和IPI80P03P4L-07的区别 |