IPB60R360P7ATMA1、SPB07N60C3ATMA1对比区别

高亮显示差异参数

型号 IPB60R360P7ATMA1 SPB07N60C3ATMA1

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.305 ohm, 10 V, 3.5 VINFINEON  SPB07N60C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 中高压MOS管

安装方式 - Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263

额定电压(DC) - 650 V

额定电流 - 7.30 A

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.305 Ω 0.54 Ω

极性 - N-Channel

耗散功率 41 W 83 W

阈值电压 3.5 V 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V

连续漏极电流(Ids) - 7.30 A

上升时间 7 ns 3.5 ns

输入电容(Ciss) 555pF @400V(Vds) 790pF @25V(Vds)

下降时间 10 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 41000 mW 83 W

长度 - 10.31 mm

宽度 - 9.45 mm

高度 - 4.572 mm

封装 TO-263-3 TO-263

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17