锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
SPB07N60C3ATMA1

SPB07N60C3ATMA1

数据手册.pdf

INFINEON  SPB07N60C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


得捷:
SPB07N60 - COOLMOS, 7.3A, 600V N


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB07N60C3ATMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# INFINEON  SPB07N60C3ATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V


Win Source:
SPB07N60 - COOLMOS, 7.3A, 600V N


SPB07N60C3ATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 7.30 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.54 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 7.30 A

上升时间 3.5 ns

输入电容Ciss 790pF @25VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.572 mm

封装 TO-263

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

SPB07N60C3ATMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SPB07N60C3ATMA1
型号 制造商 描述 购买
SPB07N60C3ATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPB07N60C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SPB07N60C3ATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPB07N60C3ATMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-263 N-Channel 650V 7.3A

当前型号

INFINEON  SPB07N60C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： R6007KNJTL

品牌： 罗姆半导体

封装： TO-263 N-Channel 600V 7A

功能相似

ROHM  R6007KNJTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 5 V 新

SPB07N60C3ATMA1和R6007KNJTL的区别

型号： IPB60R360P7ATMA1

品牌： 英飞凌

封装：

功能相似

晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.305 ohm, 10 V, 3.5 V

SPB07N60C3ATMA1和IPB60R360P7ATMA1的区别