FDD5810、FDD5810_F085对比区别

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型号 FDD5810 FDD5810_F085

描述 N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 60V ， 35A ， 27mOhm N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 35A, 27mOhmN 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) 60.0 V -

额定电流 35.0 A -

漏源极电阻 16.5 mΩ -

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 88 W 88 W

输入电容 1.89 nF -

栅电荷 34.0 nC -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 35.0 A 7.7A

上升时间 75 ns -

输入电容(Ciss) 1890pF @25V(Vds) 1890pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 72 W 72 W

下降时间 34 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 72W (Tc) 72W (Tc)

通道数 - 1

长度 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99