FDD5810
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD5810中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 35.0 A
漏源极电阻 16.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 88 W
输入电容 1.89 nF
栅电荷 34.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 75 ns
输入电容Ciss 1890pF @25VVds
额定功率Max 72 W
下降时间 34 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 72W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD5810引脚图与封装图
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在线购买FDD5810
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD5810 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 60V ， 35A ， 27mOhm N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 35A, 27mOhm | 搜索库存 |
替代型号FDD5810
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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