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BAS40LT1G、BAS40W,115、BAS40-7-F对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS40LT1G BAS40W,115 BAS40-7-F

描述 ON SEMICONDUCTOR  BAS40LT1G  小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °CNXP  BAS40W,115  小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C二极管与整流器

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Diodes (美台)

分类 肖特基二极管肖特基二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-323-3 SOT-23-3

电容 5.00 pF - 5.00 pF

额定功率 - - 350 mW

输出电流 ≤120 mA - ≤200 mA

针脚数 3 3 3

正向电压 1 V 1V @40mA 1V @40mA

极性 Standard - Standard

耗散功率 225 mW - 350 mW

反向恢复时间 - - 5 ns

正向电流 120 mA 120 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 200 mA 200 mA 0.6 A

正向电压(Max) 1 V 1 V 1V @40mA

正向电流(Max) 120 mA 120 mA 0.2 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 225 mW - 350 mW

热阻 508℃/W (RθJA) 625℃/W (RθJA) -

工作结温 - 150℃ (Max) -

额定电流 5.00 A - -

无卤素状态 Halogen Free - -

负载电流 0.12 A - -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

长度 3.04 mm - 3.05 mm

宽度 1.3 mm - 1.4 mm

高度 1.01 mm 1 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-323-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99