IRFM460、IRFM460D对比区别

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型号 IRFM460 IRFM460D

描述 TO-254AA N-CH 500V 19APower Field-Effect Transistor, 19A I(D), 500V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole -

引脚数 3 -

封装 TO-254-3 -

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

漏源极电阻 - -

极性 N-CH -

耗散功率 250W (Tc) -

产品系列 - -

漏源极电压(Vds) 500 V -

漏源击穿电压 - -

连续漏极电流(Ids) 19A -

上升时间 120 ns -

输入电容(Ciss) 4300pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 250 W -

下降时间 98 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 250W (Tc) -

封装 TO-254-3 -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -