极性 N-CH
耗散功率 250W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 19A
上升时间 120 ns
输入电容Ciss 4300pF @25VVds
额定功率Max 250 W
下降时间 98 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-254-3
封装 TO-254-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFM460 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-254-3 N-CH 500V 19A | 当前型号 | TO-254AA N-CH 500V 19A | 当前型号 | |
型号: IRFM460D 品牌: 英飞凌 封装: | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 19A ID, 500V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, | IRFM460和IRFM460D的区别 | |
型号: IRFM460DPBF 品牌: 英飞凌 封装: | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 19A ID, 500V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, | IRFM460和IRFM460DPBF的区别 |