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IRFM460
Infineon(英飞凌) 分立器件

TO-254AA N-CH 500V 19A

通孔 N 通道 500 V 19A(Tc) 250W(Tc) TO-254AA


得捷:
MOSFET N-CH 500V 19A TO254AA


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin3+Tab TO-254AA


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin3+Tab TO-254AA


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 19A TO-254AA


IRFM460中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 250W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 19A

上升时间 120 ns

输入电容Ciss 4300pF @25VVds

额定功率Max 250 W

下降时间 98 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-254-3

外形尺寸

封装 TO-254-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRFM460引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFM460 Infineon 英飞凌 TO-254AA N-CH 500V 19A 搜索库存
替代型号IRFM460
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFM460

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-254-3 N-CH 500V 19A

当前型号

TO-254AA N-CH 500V 19A

当前型号

型号: IRFM460D

品牌: 英飞凌

封装:

功能相似

Power Field-Effect Transistor, 19A ID, 500V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,

IRFM460和IRFM460D的区别

型号: IRFM460DPBF

品牌: 英飞凌

封装:

功能相似

Power Field-Effect Transistor, 19A ID, 500V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,

IRFM460和IRFM460DPBF的区别