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BQ32000DR、ISL12020CBZ、ISL1208IB8Z-TK对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ32000DR ISL12020CBZ ISL1208IB8Z-TK

描述 TEXAS INSTRUMENTS  BQ32000DR  芯片, 实时时钟, 串口, 8SOIC低功耗RTC与VDD电池供电的SRAM和嵌入式温度补偿【 5ppm的带自动夏令时 Low Power RTC with VDD Battery Backed SRAM and Embedded Temp Compensation 【5ppm with Auto Day Light Saving2字节用户SRAM

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Intersil (英特矽尔) Intersil (英特矽尔)

分类 实时时钟芯片实时时钟芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

电源电压(DC) 3.30 V - 2.70V (min)

内存容量 - - 2 B

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 1.4V ~ 3.6V - 1.8V ~ 5.5V

电源电压(Max) 3.6 V - 5.5 V

电源电压(Min) 3 V - 2.7 V

工作电压 3V ~ 3.6V - -

针脚数 8 - -

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

高度 1.5 mm - -

重量 - - 0.0086400280352 kg

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -