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JAN2N5416S、JANS2N5416UA、2N5416对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N5416S JANS2N5416UA 2N5416

描述 2N5416S 系列 300 V 1 A PNP 低功耗 硅 晶体管 - TO-39-3UA PNPBJT PNP High Voltage

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 4 3

封装 TO-39 SMD-4 TO-39-3

频率 - - 15 MHz

耗散功率 0.75 W - 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 @50mA, 10V 30 @50mA, 10V 30

额定功率(Max) 750 mW 750 mW 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 750 mW - 1000 mW

极性 - PNP -

长度 - - 9.4 mm

宽度 - - 9.4 mm

高度 - - 6.6 mm

封装 TO-39 SMD-4 TO-39-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Tray Box

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free