JAN2N5416S
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N5416S中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.75 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V
额定功率Max 750 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 750 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
JAN2N5416S引脚图与封装图
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在线购买JAN2N5416S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N5416S | Microsemi 美高森美 | 2N5416S 系列 300 V 1 A PNP 低功耗 硅 晶体管 - TO-39-3 | 搜索库存 |
替代型号JAN2N5416S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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| 型号： JAN2N5416 品牌： 美高森美 封装： TO-5 750mW | 完全替代 | PNP小功率硅晶体管 PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N5416S和JAN2N5416的区别 |
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