CY7C1313KV18-250BZI、CY7C1313KV18-250BZXC、CY7C1313KV18-250BZC对比区别

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型号 CY7C1313KV18-250BZI CY7C1313KV18-250BZXC CY7C1313KV18-250BZC

描述 18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165Pin FBGA TrayCY7C1313KV18 系列 18Mb (1M x 18) QDR® II SRAM 四字突发架构

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 165 165

封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

供电电流 - 440 mA -

时钟频率 - 250 MHz 250 MHz

位数 - 18 18

存取时间 - 0.45 ns -

存取时间(Max) - 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

长度 - 15 mm -

宽度 - 13 mm -

封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 Contains Lead

ECCN代码 - - 3A991.b.2.a