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APT11GF120BRDQ1、APT11GF120BRDQ1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT11GF120BRDQ1 APT11GF120BRDQ1G

描述 IGBT 1200V 25A 156W TO247IGBT 1200V 25A 156W TO247

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-247 TO-247-3

额定电压(DC) - 1.20 kV

额定电流 - 25.0 A

击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V

额定功率(Max) - 156 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 156 W 156000 mW

封装 TO-247 TO-247-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free