APT11GF120BRDQ1G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT11GF120BRDQ1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 25.0 A
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 156 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 156000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT11GF120BRDQ1G引脚图与封装图
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在线购买APT11GF120BRDQ1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT11GF120BRDQ1G | Microsemi 美高森美 | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | 搜索库存 |
替代型号APT11GF120BRDQ1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT11GF120BRDQ1G 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 1.2kV 25A | 当前型号 | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | 当前型号 |
| 型号： APT11GF120BRDQ1 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | APT11GF120BRDQ1G和APT11GF120BRDQ1的区别 |