IRFU024、IRFU024NPBF、AUIRFU024N对比区别

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型号 IRFU024 IRFU024NPBF AUIRFU024N

描述 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3INFINEON  IRFU024NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 75 mohm, 10 V, 4 VIPAK N-CH 55V 17A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 - TO-251-3 IPAK

额定功率 - 38 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.075 Ω -

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 - 45 W -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 370 pF -

漏源极电压(Vds) - 55 V 55 V

漏源击穿电压 - 55 V -

连续漏极电流(Ids) - 17A 17A

上升时间 - 34 ns -

输入电容(Ciss) - 370pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 45 W -

下降时间 - 27 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 45W (Tc) -

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 2.39 mm -

高度 - 6.22 mm -

封装 - TO-251-3 IPAK

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -