
额定功率 38 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.075 Ω
极性 N-CH
耗散功率 45 W
阈值电压 4 V
输入电容 370 pF
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 17A
上升时间 34 ns
输入电容Ciss 370pF @25VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 27 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 45W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.39 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFU024NPBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRFU024NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 75 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFU024NPBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL N-CH 55V 17A | 当前型号 | INFINEON IRFU024NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 75 mohm, 10 V, 4 V | 当前型号 | |
型号: IRFU024N 品牌: 英飞凌 封装: TO-251-3 N-CH 55V 17A | 类似代替 | IPAK N-CH 55V 17A | IRFU024NPBF和IRFU024N的区别 | |
型号: IRFU024 品牌: 英飞凌 封装: | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 17A ID, 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3 | IRFU024NPBF和IRFU024的区别 |