PEMB4,115、PEMB9、NSBA114YDXV6T1对比区别

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型号 PEMB4,115 PEMB9 NSBA114YDXV6T1

描述 SOT-666 PNP 50V 100mANXP  PEMB9  双极晶体管阵列, PNP, -50 V, 300 mW, -100 mA, 100 hFE, SOT-666SOT-563 PNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 SOT-666 SOT-666 SOT-563

针脚数 - 6 -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 300 mW 300 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

直流电流增益(hFE) 200 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

最小电流放大倍数(hFE) 200 @1mA, 5V - 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 300 mW - 500 mW

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW - -

额定电压(DC) - - -50.0 V

额定电流 - - -100 mA

封装 SOT-666 SOT-666 SOT-563

高度 0.6 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -

香港进出口证 - - NLR