PEMB9
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NXP
恩智浦
分立器件
PEMB9中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666
外形尺寸
封装 SOT-666
其他
产品生命周期 Unknown
制造应用 Computers & Computer Peripherals, Power Management, Industrial, Automotive
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PEMB9引脚图与封装图 
PEMB9引脚图
PEMB9封装图
PEMB9封装焊盘图
在线购买PEMB9
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PEMB9 | NXP 恩智浦 | NXP PEMB9 双极晶体管阵列, PNP, -50 V, 300 mW, -100 mA, 100 hFE, SOT-666 | 搜索库存 |
替代型号PEMB9
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PEMB9 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-666 PNP | 当前型号 | NXP PEMB9 双极晶体管阵列, PNP, -50 V, 300 mW, -100 mA, 100 hFE, SOT-666 | 当前型号 |
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| 型号： PEMB4 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | PNP / PNP电阻配备晶体管; R1 = 10 kΩ的， R2 =开放 PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = open | PEMB9和PEMB4的区别 |
| 型号： NSBA114YDXV6T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 PNP -50V -100mA 500mW | 功能相似 | NSB 系列 50 V 100 mA 47 kOhm PNP 双 偏置电阻晶体管 - SOT-563 | PEMB9和NSBA114YDXV6T1G的区别 |