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TLE2022AIDG4、TLE2022ID、TLE2022AMDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2022AIDG4 TLE2022ID TLE2022AMDR

描述 神剑高速低功耗精密运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED LOW-POWER PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERSExcalibur TLE 系列### 运算放大器,Texas Instruments神剑高速低功耗精密运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED LOW-POWER PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 40.0 V 20.0 V -

输出电流 ≤30 mA ≤30 mA -

供电电流 550 µA 550 µA 550 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 -

耗散功率 0.725 W 725 mW 725 mW

共模抑制比 87 dB 85 dB -

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 1.7 MHz 1.2 MHz 1.7 MHz

转换速率 500 mV/μs 500 mV/μs 500 mV/μs

增益频宽积 1.7 MHz 1.7 MHz 1.7 MHz

输入补偿电压 120 µV 150 µV 120 µV

输入偏置电流 33 nA 35 nA 33 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -55 ℃

增益带宽 - 2.8 MHz -

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 87 dB 85 dB 87 dB

电源电压(Max) - 40 V -

电源电压(Min) - 4 V -

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.91 mm -

高度 - 1.58 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15