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BC858A-7、BC858A-TP、BC858ALT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858A-7 BC858A-TP BC858ALT1G

描述 Transistors (BJT) - SingleSOT-23 PNP 30V 0.1AON SEMICONDUCTOR  BC858ALT1G  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 90 hFE

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Micro Commercial Components (美微科) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 310 mW 300 mW

频率 - - 100 MHz

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -100 mA

针脚数 - - 3

耗散功率 - - 225 mW

最小电流放大倍数(hFE) - - 125

额定功率(Max) - - 300 mW

直流电流增益(hFE) - - 90

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

长度 - - 3.04 mm

宽度 - - 2.64 mm

高度 - - 1.11 mm

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

材质 - - Silicon

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - - EAR99