IRL540NSPBF、STB40NF10T4、STB40NF10LT4对比区别

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型号 IRL540NSPBF STB40NF10T4 STB40NF10LT4

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRL540NSPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 36A, D2-PAK 新STMICROELECTRONICS  STB40NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 28 mohm, 10 V, 2.8 VSTMICROELECTRONICS  STB40NF10LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 36.0 A 50.0 A 40.0 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 44 mΩ 0.028 Ω 0.028 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8 W 150 W 150 W

产品系列 IRL540NS - -

阈值电压 2 V 2.8 V 1.7 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 36.0 A 50.0 A 40.0 A

上升时间 81.0 ns 63 ns 82 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 1780pF @25V(Vds) 2300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W 150 W 150 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±15.0 V

下降时间 - 28 ns 24 ns

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 150W (Tc) 150W (Tc)

通道数 - 1 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 9.35 mm 9.35 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - -50℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃

ECCN代码 - EAR99 -