BSP60、BSP60E6327HTSA1、BSP615S2L对比区别

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型号 BSP60 BSP60E6327HTSA1 BSP615S2L

描述 PNP硅达林顿晶体管 PNP Silicon Darlington TransistorSOT-223 PNP 45V 1A的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223-4

引脚数 - - 4

极性 - PNP N-CH

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V -

集电极最大允许电流 - 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 1000 2000 @500mA, 10V -

额定功率(Max) - 1.5 W -

额定功率 1.5 W - -

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 2.80 A

耗散功率 - - 1.8W (Ta)

输入电容 - - 330 pF

栅电荷 - - 10.0 nC

漏源极电压(Vds) - - 55 V

连续漏极电流(Ids) - - 2.80 A

上升时间 - - 24 ns

输入电容(Ciss) - - 330pF @25V(Vds)

下降时间 - - 23 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 1.8W (Ta)

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223-4

长度 6.5 mm - -

宽度 3.5 mm - -

高度 1.6 mm - -

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 End of Life Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead