BSP615S2L
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSP615S2L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 55.0 V
额定电流 2.80 A
极性 N-CH
耗散功率 1.8W Ta
输入电容 330 pF
栅电荷 10.0 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 2.80 A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 330pF @25VVds
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.8W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223-4
外形尺寸
封装 SOT-223-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BSP615S2L引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BSP615S2L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSP615S2L 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-223 N-CH 55V 2.8A 330pF | 当前型号 | 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： BSP603S2L 品牌： 英飞凌 封装： SOT-223 N-CH 55V 5.2A 1.39nF | 类似代替 | Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | BSP615S2L和BSP603S2L的区别 |
| 型号： BSP60 品牌： 英飞凌 封装： | 类似代替 | PNP硅达林顿晶体管 PNP Silicon Darlington Transistor | BSP615S2L和BSP60的区别 |
| 型号： SP-60 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 5.2A ID, 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP615S2L和SP-60的区别 |