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BQ32000D、ISL12020CBZ、BQ32000DR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ32000D ISL12020CBZ BQ32000DR

描述 Texas Instruments### 实时时钟 (RTC)低功耗RTC与VDD电池供电的SRAM和嵌入式温度补偿【 5ppm的带自动夏令时 Low Power RTC with VDD Battery Backed SRAM and Embedded Temp Compensation 【5ppm with Auto Day Light SavingTEXAS INSTRUMENTS  BQ32000DR  芯片, 实时时钟, 串口, 8SOIC

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Intersil (英特矽尔) TI (德州仪器)

分类 实时时钟芯片实时时钟芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

电源电压(DC) 3.30 V - 3.30 V

工作电压 - - 3V ~ 3.6V

针脚数 8 - 8

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V - 1.4V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 3 V - 3 V

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99