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BST39TA、BST39,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BST39TA BST39,115

描述 BST39 系列 NPN 350 V 500 mA 1 W 高压 晶体管-SOT-89NXP  BST39,115  单晶体管 双极, NPN, 350 V, 70 MHz, 1.3 W, 100 mA, 40 hFE

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3

封装 SOT-89-3 SOT-89-3

频率 - 70 MHz

针脚数 - 3

极性 NPN NPN

耗散功率 2000 mW 1.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - 40 @20mA, 10V

额定功率(Max) 1 W 1.3 W

直流电流增益(hFE) - 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW -

额定电压(DC) 350 V -

额定电流 500 mA -

宽度 - 2.6 mm

封装 SOT-89-3 SOT-89-3

长度 - -

高度 - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 -