锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BST39TA
Diodes(美台) 分立器件

BST39 系列 NPN 350 V 500 mA 1 W 高压 晶体管-SOT-89

- 双极 BJT - 单 NPN 70MHz 表面贴装型 SOT-89-3


得捷:
TRANS NPN 350V 0.5A SOT89-3


立创商城:
NPN 350V 500mA


艾睿:
Use this versatile NPN BST39TA GP BJT from Diodes Zetex to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 350 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.


Allied Electronics:
Transistor; NPN; 500mA; 350V; SOT89


安富利:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 2000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 350V; 500mA; 1W; SOT89


儒卓力:
**NPN TRANSISTOR 350V 0,5A SOT89 **


Win Source:
TRANS NPN 350V 0.5A SOT-89


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 350V 500MA SOT-89


BST39TA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 350 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 2000 mW

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

BST39TA引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BST39TA
型号 制造商 描述 购买
BST39TA Diodes 美台 BST39 系列 NPN 350 V 500 mA 1 W 高压 晶体管-SOT-89 搜索库存