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UC2710T、UC2710TG3、UCC27321P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UC2710T UC2710TG3 UCC27321P

描述 MOSFET & IGBT Drivers, 6A to 10A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments大电流FET驱动器 High Current FET DriverTEXAS INSTRUMENTS  UCC27321P  芯片, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 9A输出, 35ns延迟, DIP-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 5 5 8

封装 TO-220-5 TO-220-5 DIP-8

电源电压(DC) 4.70V (min) 4.70V (min) 15.0V (max)

上升/下降时间 85 ns 85 ns 20 ns

输出接口数 1 1 1

输出电压 - - 150 mV

输出电流 - 6 A 9 A

针脚数 - - 8

耗散功率 3 W 3000 mW 350 mW

上升时间 70 ns 70 ns 70 ns

输出电压(Max) - - 300 mV

下降时间 80 ns 80 ns 30 ns

下降时间(Max) 80 ns 80 ns 30 ns

上升时间(Max) 70 ns 70 ns 70 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 3000 mW 3000 mW 350 mW

电源电压 4.7V ~ 18V 4.7V ~ 18V 4V ~ 15V

电源电压(Max) 18 V 18 V 15 V

电源电压(Min) 4.7 V 4.7 V 4 V

长度 10.16 mm - 9.81 mm

宽度 4.58 mm - 6.35 mm

高度 8.51 mm 9.25 mm 4.57 mm

封装 TO-220-5 TO-220-5 DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99