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JAN2N6032、JANTXV2N6032、2N6032对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N6032 JANTXV2N6032 2N6032

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORTransistor,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) API Technologies

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-3 TO-3 -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 90 V 90 V -

集电极最大允许电流 50A 50A -

封装 TO-3 TO-3 -

产品生命周期 Active Active Active