JAN2N6032
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 90 V
集电极最大允许电流 50A
安装方式 Through Hole
封装 TO-3
封装 TO-3
产品生命周期 Active
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: JAN2N6032 品牌: Microsemi 美高森美 封装: | 当前型号 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: JANTX2N6032 品牌: 美高森美 封装: | 完全替代 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N6032和JANTX2N6032的区别 | |
型号: JANTXV2N6032 品牌: 美高森美 封装: | 完全替代 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N6032和JANTXV2N6032的区别 |