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Microsemi 美高森美 电子元器件分类
JAN2N6032中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 90 V

集电极最大允许电流 50A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

其他

产品生命周期 Active

JAN2N6032引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JAN2N6032 Microsemi 美高森美 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号JAN2N6032
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JAN2N6032

品牌: Microsemi 美高森美

封装:

当前型号

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号: JANTX2N6032

品牌: 美高森美

封装:

完全替代

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

JAN2N6032和JANTX2N6032的区别

型号: JANTXV2N6032

品牌: 美高森美

封装:

完全替代

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

JAN2N6032和JANTXV2N6032的区别