CY7C1354C-200BGC、IS61NLP25636A-200B2LI对比区别

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型号 CY7C1354C-200BGC IS61NLP25636A-200B2LI

描述 9兆位（ 256千×五百十二分之三十六K＆times 18 ）流水线SRAM与NOBL ™架构 9-Mbit (256 K × 36/512 K × 18) Pipelined SRAM with NoBL? Architecture静态随机存取存储器 8M (256Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 119 119

封装 BGA-119 BGA-119

供电电流 220 mA -

存取时间 3.2 ns 3.1 ns

存取时间(Max) 3.2 ns 3.1 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.465V

电源电压(Max) 3.6 V -

电源电压(Min) 3.135 V -

位数 - 36

高度 1.46 mm -

封装 BGA-119 BGA-119

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99