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CY7C1354C-200BGC

CY7C1354C-200BGC

数据手册.pdf

9兆位( 256千×五百十二分之三十六K&times 18 )流水线SRAM与NOBL ™架构 9-Mbit 256 K × 36/512 K × 18 Pipelined SRAM with NoBL? Architecture

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 9Mb 256K x 36 Parallel 200MHz 3.2ns 119-PBGA 14x22


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CY7C1354C-200BGC中文资料参数规格
技术参数

供电电流 220 mA

存取时间 3.2 ns

存取时间Max 3.2 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3.135 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 119

封装 BGA-119

外形尺寸

高度 1.46 mm

封装 BGA-119

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

CY7C1354C-200BGC引脚图与封装图
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在线购买CY7C1354C-200BGC
型号 制造商 描述 购买
CY7C1354C-200BGC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 9兆位( 256千×五百十二分之三十六K&times 18 )流水线SRAM与NOBL ™架构 9-Mbit 256 K × 36/512 K × 18 Pipelined SRAM with NoBL? Architecture 搜索库存
替代型号CY7C1354C-200BGC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C1354C-200BGC

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: BGA

当前型号

9兆位( 256千×五百十二分之三十六K&times 18 )流水线SRAM与NOBL ™架构 9-Mbit 256 K × 36/512 K × 18 Pipelined SRAM with NoBL? Architecture

当前型号

型号: IS61NLP25636A-200B2LI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

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