DTD113E、MUN2230T1、MUN2230T1G对比区别

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型号 DTD113E MUN2230T1 MUN2230T1G

描述 NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORNPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SMT-3 SC-59-3 SOT-23-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V

额定电流 - 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 230 mW 0.338 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 3 3 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - 3 -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

无卤素状态 - - Halogen Free

额定功率(Max) - - 338 mW

耗散功率(Max) - - 338 mW

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.5 mm -

高度 - 1.09 mm -

封装 SMT-3 SC-59-3 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃