MT29F32G08AECCBH1-10Z:C、MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C、MT29F32G08AECCBH1-10IT:C对比区别

高亮显示差异参数

型号 MT29F32G08AECCBH1-10Z:C MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C MT29F32G08AECCBH1-10IT:C

描述 SLC NAND Flash Parallel 3.3V 32Gbit 4G x 8Bit 20ns 100Pin V-BGASLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32Gbit 4G x 8Bit 20ns 100Pin V-BGASLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32G-bit 4G x 8 100Pin VBGA

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 Flash芯片Flash芯片Flash芯片

引脚数 100 100 100

封装 VBGA-100 VFBGA-100 VBGA

安装方式 - - Surface Mount

工作电压 3.30 V 3.30 V 3.30 V

供电电流 50 mA - -

内存容量 4000000000 B 4000000000 B 4000000000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V -

位数 - 8 8

封装 VBGA-100 VFBGA-100 VBGA

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free -