MT29F32G08AECCBH1-10Z:C

Micron(镁光) 主动器件

SLC NAND Flash Parallel 3.3V 32Gbit 4G x 8Bit 20ns 100Pin V-BGA

闪存 - NAND 存储器 IC 32Gb（4G x 8）并联 100 MHz 100-VBGA（12x18）

得捷:
IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA

安富利:
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 32Gbit 4G x 8Bit 20ns 100-Pin V-BGA

Verical:
SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32G-bit 4G x 8 100-Pin VBGA

MT29F32G08AECCBH1-10Z:C中文资料参数规格

技术参数

工作电压 3.30 V

供电电流 50 mA

内存容量 4000000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 100

封装 VBGA-100

外形尺寸

封装 VBGA-100

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

MT29F32G08AECCBH1-10Z:C引脚图与封装图

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替代型号MT29F32G08AECCBH1-10Z:C

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： MT29F32G08AECCBH1-10Z:C 品牌： Micron 镁光封装： VBGA 4000000000B	当前型号	SLC NAND Flash Parallel 3.3V 32Gbit 4G x 8Bit 20ns 100Pin V-BGA	当前型号
型号： MT29F32G08AECCBH1-10:C 品牌：镁光封装： VBGA 4000000000B	类似代替	SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32G-bit 4G x 8 100Pin VBGA	MT29F32G08AECCBH1-10Z:C和MT29F32G08AECCBH1-10:C的区别
型号： MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C 品牌：镁光封装： 100-VFBGA 4000000000B	功能相似	SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32Gbit 4G x 8Bit 20ns 100Pin V-BGA	MT29F32G08AECCBH1-10Z:C和MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C的区别
型号： MT29F32G08AECCBH1-10IT:C 品牌：镁光封装： BGA 4000000000B	功能相似	SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32G-bit 4G x 8 100Pin VBGA	MT29F32G08AECCBH1-10Z:C和MT29F32G08AECCBH1-10IT:C的区别