STD120N4F6、STD60NF06T4、IRFR4104PBF对比区别
型号 STD120N4F6 STD60NF06T4 IRFR4104PBF
描述 N沟道40 V , 3.5 MI © , 80 A, DPAK , D²PAK STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 40 V, 3.5 mΩ , 80 A, DPAK, D²PAK STripFET⢠VI DeepGATE⢠Power MOSFETN 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN沟道 40V 42A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.014 Ω 5.5 mΩ
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 110 W 140 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 40 V 60 V 40 V
漏源击穿电压 - 60.0 V 40.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 60.0 A 42.0 A
上升时间 70 ns 108 ns 69.0 ns
输入电容(Ciss) 3850pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 2950pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 110 W 140 W
下降时间 20 ns 20 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) -
额定电压(DC) - - 40.0 V
额定电流 - - 42.0 A
产品系列 - - IRFR4104
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 6.2 mm -
高度 - 2.4 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17
ECCN代码 - EAR99 -