APT80GP60B2、APT80GP60B2G对比区别

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型号 APT80GP60B2 APT80GP60B2G

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3Pin(3+Tab) T-MAXTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 1041000mW 3Pin(3+Tab) T-MAX

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 IGBT晶体管

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 - T-MAX

额定电压(DC) - 600 V

额定电流 - 100 A

耗散功率 - 1041000 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 1041000 mW

封装 - T-MAX

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - EAR99