APT80GP60B2G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT80GP60B2G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 100 A
耗散功率 1041000 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1041000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 T-MAX
外形尺寸
封装 T-MAX
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
APT80GP60B2G引脚图与封装图
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在线购买APT80GP60B2G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT80GP60B2G | Microsemi 美高森美 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 1041000mW 3Pin3+Tab T-MAX | 搜索库存 |
替代型号APT80GP60B2G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT80GP60B2G 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-264 600V 100A 1041000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 1041000mW 3Pin3+Tab T-MAX | 当前型号 |
| 型号： APT80GP60B2 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3Pin3+Tab T-MAX | APT80GP60B2G和APT80GP60B2的区别 |