D45C8、TIP32AG、NTE378对比区别
描述 Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管NTE ELECTRONICS NTE378 双极性晶体管
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
针脚数 3 3 3
极性 PNP PNP, P-Channel P-Channel, PNP
耗散功率 60 W 40 W 50 W
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 80.0 V
集电极最大允许电流 - 3A 10A
直流电流增益(hFE) 40 50 60
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
频率 - 3 MHz -
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -
额定电流 -4.00 A 3.00 A -
增益频宽积 - 3 MHz -
热阻 - 3.125℃/W (RθJC) -
最小电流放大倍数(hFE) 40 @200mA, 1V 10 @3A, 4V -
额定功率(Max) 60 W 2 W -
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 60000 mW 2000 mW -
最大电流放大倍数(hFE) 120 - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
长度 10.67 mm 10.28 mm -
宽度 4.83 mm 4.83 mm -
高度 9.4 mm 15.75 mm -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Bulk Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
HTS代码 - - 85412900951
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -